ATP106-TL-H

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

ATP106-TL-H datasheet

• Маркировка
  ATP106-TL-H
• Производитель
  Sanyo Semiconductor
• Описание
  ON Semiconductor ATP106-TL-H RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 30 A Resistance Drain-Source RDS (on): 25 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: ATPAK Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 40 W Factory Pack Quantity: 1
• Количество страниц
  4 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet ATP106-TL-H.pdf
Файл формата Pdf 61,96 KB